一、产品特点：
测试种类掩盖面广、测试精度高、电参数测试全、速率快、有精良的反复性和分歧性、事情波动牢靠，具有掩护体系和被测器件的才能。测试仪由盘算机操控，测试数据可存储打印。除具有点测试功效外，还具有曲线扫描功效（图示仪功效）。体系软件功效全、利用机动利便、操纵复杂。体系软件波动牢靠、硬件妨碍率低，在实践测试使用中各项技能目标均可到达器件手册技能目标及国标要求。
二、测试参数
1． 二极管
VF、IR、BVR
2． 稳压（齐纳）二极管
VF、IR、BV Z
3． 晶体管 Transistor（NPN型/PNP型）
VBE、ICBO、 LCEO、IEBO、BVCEO、BVCBO、BVEBO、hFE、VCESAT、VBESAT 、VBEON
4． 可控硅整流器（晶闸管）
IGT、VGT、 IH、IL 、VTM
5． 场效应管
IGESF、IGSSF、 IGSSR、IGSS、VDSON、RDSON、VGSTH、IDSS、IDON 、gFS、 BVDGO、BVGSS
6． 光电耦合器
VF 、IR、CTR、ICEO、BVCEO、VCESAT
*7．三端稳压器
VO、SV、ID、IDV
被测器件图形
三、测试参数范畴
晶体管
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测试参数 |
测试范畴 |
|
I### I### IEBO### |
1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA |
|
VCE(sat) VBE(sat)### |
0.10V-30V |
|
VBE(VBE(on)### |
0.10V-30V |
|
hFE### |
1－99999### |
|
V(BR)EBO### |
0.10V-30V |
|
V(BR)CEO### V(BR)CBO### |
0. 10V-50V 50V-1499V |
二极管
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测试参数### |
测试范畴### |
|
IR### |
1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA |
|
VF### |
0.10V-30V |
|
V(BR)### |
1V-50V |
|
### |
50V-1499V### |
稳压二极管
|
测试参数### |
测试范畴### |
|
IR### |
1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA |
|
VF### |
0.10V-30V |
|
VZ### |
0.10V-50V |
三端稳压器
|
测试参数### |
测试范畴### |
|
VO### |
0.10V-30V### |
|
SV### |
0.10mV-1V |
|
ID### |
1uA-10mA### |
|
IDV### |
1uA-10mA### |
MOSFET
|
测试参数### |
测试范畴### |
|
VGS(th)### |
0.10V-30V### |
|
gfs### |
0.1mS-1000S### |
|
RDS(on)### |
10mΩ-100KΩ### |
|
VDS(on)### |
0.10V-50V |
|
IGSS### |
1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA |
|
IDSS### |
1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA |
|
ID(on)### |
0-50A |
|
V(BR)GSS### |
0.1V-30V |
|
V(BR)DSS### |
0.1V-1499V |
光耦
|
测试参数### |
测试范畴### |
|
VF### |
0.10V-30V### |
|
IR### |
1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA |
|
VCE(sat)### |
0.10V-50V### |
|
### |
### |
|
ICEO### |
与IR参数相反### |
|
V(BR)ECO V(BR)CEO### |
0.10V-50V 50V-1499V |
可控硅
|
测试参数### |
测试范畴### |
|
IGT### |
10uA-200mA |
|
VGT### |
0.10V-30V |
|
IH### |
10uA |
|
IL### |
10uA |
|
VTM### |
0.10V-50V |
四、技能目标
1、源的目标
主极压流源 (VA)
电压：
|
设定范畴（V）### |
准确度### |
|
±(0~10) |
±(14.6mV+0.5%set) |
|
±(10~50) |
±(73.2mV+0.5%set) |
电流：
|
丈量范畴### |
准确度### |
|
±(0-50)uA |
±(244nA+0.5% set) |
|
±(50-500) uA |
±(2.44uA+0.5% set) |
|
±(0.5-5) mA |
±(24.4uA+0.5% set) |
|
±(5-50) mA |
±(244uA+0.5% set) |
|
±(50~500) mA |
±(2.44mA+0.5%set) |
|
±(0.5~5)A（脉冲）### |
±(24.4mA+0.5%set) |
|
±(5-50)A（脉冲）### |
±(244mA+0.5%set) |
压流源 (VB)
电压：
|
设定范畴（V）### |
准确度### |
|
±(0~10) |
±(14.6mV+0.5%set) |
|
±(10~30) |
±(43.8mV+0.5%set) |
电流：
|
丈量范畴### |
准确度### |
|
±(0-50)uA |
±(244nA+0.5% set) |
|
±(50-500) uA |
±(2.44uA+0.5% set) |
|
±(0.5-5) mA |
±(24.4uA+0.5% set) |
|
±(5-50) mA |
±(244uA+0.5% set) |
|
±(50~500) mA |
±(2.44mA+0.5%set) |
|
±(0.5~5)A（脉冲）### |
±(24.4mA+0.5%set) |
|
±(5-50)A（脉冲）### |
±(244mA+0.5%set) |
高压源（HV）
|
设定范畴（V）### |
准确度### |
|
0~1500 |
±(1.22V+1%set) |
*1500V时最大输入为5mA。
2、电压表的目标
测泄电流
|
丈量范畴### |
准确度### |
|
±(0~200)nA |
±(2.44nA+0.5% Rdg) |
|
±(0.2-2)uA |
±(24.4nA+0.5% Rdg) |
|
±(2-20)uA |
±(244nA+0.5% Rdg) |
|
±(20~200) uA |
±(2.44uA+0.5% Rdg) |
|
±(0.2~2)mA |
±(24.4uA+0.5% Rdg) |
|
±(2-20)mA |
±(244uA+0.5% Rdg) |
测试电压
|
设定范畴（V）### |
准确度### |
|
±(0~10) |
±(3mV+0.5% Rdg) |
|
±(10~50) |
±(15mV+0.5% Rdg) |
测击穿电压
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设定范畴（V）### |
准确度### |
|
（0~50）V/10mA |
±(36.6mV+0.25% Rdg) |
|
（50~1500）V/1mA |
±(610.3mV+1% Rdg) |
缩小倍数
|
设定范畴（V）### |
准确度### |
|
1~9999 |
### |
