一、测试参数
1． 二极管
VF、IR、BVR
2． 稳压（齐纳）二极管
VF、IR、BV Z
3． 晶体管 Transistor（NPN型/PNP型）
VBE、ICBO、 LCEO、IEBO、BVCEO、BVCBO、BVEBO、hFE、VCESAT、VBESAT 、VBEON
4． 可控硅整流器（晶闸管）
IGT、VGT、 IH、IL 、VTM
5． 场效应管
IGESF、IGSSF、 IGSSR、IGSS、VDSON、RDSON、VGSTH、IDSS、IDON 、gFS、 BVDGO、BVGSS
6． 光电耦合器
VF 、IR、CTR、ICEO、BVCEO、VCESAT
7．三端稳压器
VO、ID
二、技能目标
1、源的目标
压流源 (VA)
电压：
设定范畴（V） 准确度
±(0~10) ±(12.2mV+0.25%set)
±(10~30) ±(24.4mV+0.25%set)
电流：
丈量范畴 准确度
±(0-20)uA ±(48.8nA+0.25% set)
±(20-200) uA ±(488nA+0.25% set)
±(0.2-2) mA ±(4.88uA+0.25% set)
±(2-20) mA ±(48.8uA+0.25% set)
±(20~200) mA ±(244uA+0.25%set)
±(0.2~2)A（脉冲） ±(2.44mA+0.25%set)
±(2-20)A（脉冲） ±(24.4mA+0.25%set)
压流源 (VB)
电压：
设定范畴（V） 准确度
±(0~10) ±(12.2mV+0.25%set)
±(10~30) ±(24.4mV+0.25%set)
电流：
丈量范畴 准确度
±(0-20)uA ±(48.8nA+0.25% set)
±(20-200) uA ±(488nA+0.25% set)
±(0.2-2) mA ±(4.88uA+0.25% set)
±(2-20) mA ±(48.8uA+0.25% set)
±(20~200) mA ±(244uA+0.25%set)
高压源（HV）
设定范畴（V） 准确度
0~1500 ±(1.22V+1%set)
*1500V时最大输入为1mA。
2、电压表的目标
测泄电流
丈量范畴 准确度
±(0~200)nA ±(2.44nA+0.25% Rdg)
±(0.2-2)uA ±(24.4nA+0.25% Rdg)
±(2-20)uA ±(244nA+0.25% Rdg)
±(20~200) uA ±(2.44uA+0.25% Rdg)
±(0.2~2)mA ±(24.4uA+0.25% Rdg)
±(2-20)mA ±(244uA+0.25% Rdg)
±(20~200) mA ±(2.44mA+0.25% Rdg)
±(0.2~2)A（脉冲） ±(24.4mA+0.25% Rdg)
±(2-20)A（脉冲） ±(244mA+0.25% Rdg)
测试电压
设定范畴（V） 准确度
±(0~10) ±(3mV+0.25% Rdg)
±(10~30) ±(3mV+0.25% Rdg)
测击穿电压
设定范畴（V） 准确度
（0~30）V/10mA ±(36.6mV+0.25% Rdg)
（30~1500）V/1mA ±(610.3mV+1% Rdg)
缩小倍数
设定范畴（V） 准确度
1~9999 1%
被侧器件图形
8050测试图
